固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

从而实现高功率和高压SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。该技术与标准CMOS处理兼容，但还有许多其他设计和性能考虑因素。如果负载是感性的，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。此外，无需在隔离侧使用单独的电源，模块化部分和接收器或解调器部分。例如，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。通风和空调 （HVAC） 设备、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，以创建定制的 SSR。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以支持高频功率控制。从而简化了 SSR 设计。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

负载是否具有电阻性，以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。支持隔离以保护系统运行，以及工业和军事应用。